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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:PECVD石墨烯薄膜制備系統(tǒng)

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 產(chǎn)品廠商:泰諾
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
PECVD石墨烯薄膜制備系統(tǒng)借助13.56MHz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內(nèi)形成等離子體,利用等離子體的強(qiáng)化學(xué)活性,改善反應(yīng)條件,使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。PECVD石墨烯薄膜制備系統(tǒng)設(shè)備可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種實(shí)驗(yàn)場(chǎng)所。
詳情介紹:

○ 產(chǎn)品介紹

PECVD石墨烯薄膜制備系統(tǒng)借助13.56MHz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內(nèi)形成等離子體,利用等離子體的強(qiáng)化學(xué)活性,改善反應(yīng)條件,使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。PECVD石墨烯薄膜制備系統(tǒng)設(shè)備可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種實(shí)驗(yàn)場(chǎng)所。


○ 適用范圍

PECVD石墨烯薄膜制備系統(tǒng)設(shè)備可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種實(shí)驗(yàn)場(chǎng)所。


○ 技術(shù)參數(shù)

多溫區(qū)加熱系統(tǒng) 

序號(hào) 

功能名稱 

技術(shù)要求 

01 

工作溫度 

室溫~1200℃,長(zhǎng)期工作溫度≦1100℃ 

02 

加熱區(qū)長(zhǎng)度 

三溫區(qū)加熱,各溫區(qū)可獨(dú)立控溫,恒溫區(qū)長(zhǎng)度為550 

03 

控制模式 

30段智能PID 多段程序控溫 

04 

控溫精度 

±1℃ 

05 

升溫速率 

0~20℃/min 

06 

測(cè)溫元件 

3支K型熱電偶 

07 

溫控保護(hù) 

具有超溫和斷偶保護(hù)功能 

08 

爐管 

高純石英管,能耐長(zhǎng)期1100℃工作溫度 

09 

爐管尺寸 

石英管外徑100mm 

10 

爐膛結(jié)構(gòu) 

開啟式 

11 

爐膛材料 

進(jìn)口纖維,保溫性能好,反射率高,溫場(chǎng)均勻 

12 

密封方式 

真空不銹鋼水冷法蘭 

13 

閥門 

KF25擋板閥 

14 

電源 

380V/220V  50Hz 

15 

溫度記錄 

可以實(shí)現(xiàn)溫度曲線記錄 

16 

爐殼溫度 

≦45℃ 

單溫區(qū)加熱系統(tǒng) 

序號(hào) 

功能名稱 

技術(shù)要求 

01 

工作溫度 

室溫~1200℃,長(zhǎng)期工作溫度≦1100℃ 

02 

加熱區(qū)長(zhǎng)度 

單溫區(qū)加熱,恒溫區(qū)長(zhǎng)度為200mm 

03 

控制模式 

30段智能PID 多段程序控溫 

04 

控溫精度 

±1℃ 

05 

升溫速率 

0~20℃/min 

06 

測(cè)溫元件 

K型熱電偶 

07 

溫控保護(hù) 

具有超溫和斷偶保護(hù)功能 

08 

爐管 

高純石英管,能耐長(zhǎng)期1100℃工作溫度 

09 

爐管尺寸 

石英管外徑100mm 

10 

爐膛結(jié)構(gòu) 

開啟式 

11 

爐膛材料 

進(jìn)口纖維,保溫性能好,反射率高,溫場(chǎng)均勻 

12 

密封方式 

真空不銹鋼水冷法蘭 

13 

閥門 

KF25擋板閥 

14 

電源 

380V/220V  50Hz 

15 

溫度記錄 

可實(shí)現(xiàn)溫度曲線記錄 

16 

爐殼溫度 

≦45℃ 

RF輸出系統(tǒng) 

序號(hào) 

功能名稱 

技術(shù)要求 

01 

功率范圍 

0~500W連續(xù)可調(diào) 

02 

工作頻率 

13.56MHz+0.005% 

03 

工作模式 

連續(xù)輸出 

04 

顯示模式 

LCD 

05 

匹配阻抗范圍 

能夠匹配,起輝輝光均勻布滿三溫區(qū)爐管 

06 

功率穩(wěn)定度 

≦2W 

07 

正常工作反射功率 

≦3W 

08 

較大反射功率 

≦70W 

09 

諧波分量 

≦-50dBc 

10 

整機(jī)效率 

≥70% 

11 

功率因素 

≥90% 

12 

供電電壓/頻率 

單相交流(187V~253V) 頻率50/60HZ 

13 

控制模式 

內(nèi)控/PLC 模擬量/RS232/485 通訊 

14 

電源保護(hù)設(shè)置 

DC 過(guò)流保護(hù),功放過(guò)溫保護(hù),反射功率保護(hù) 

15 

冷卻方式 

強(qiáng)制風(fēng)冷 

16 

起輝長(zhǎng)度 

在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光需能布滿整個(gè)三溫區(qū)的爐體長(zhǎng)度 

氣體流量控制 

序號(hào) 

功能名稱 

技術(shù)要求 

01 

四路質(zhì)子流量計(jì) 

北京七星華創(chuàng),質(zhì)子流量計(jì) 

02 

流量范圍 

MFC1量程:0~200sccm  MFC2量程:0~200sccm 

MFC3量程:0~500sccm  MFC4量程:0~500sccm 

分別對(duì)應(yīng)氣體 H2、CH4、N2、Ar 

03 

測(cè)量精度 

±1.5%F.S. 

04 

重復(fù)精度 

±0.2% FS 

05 

線性精度 

±1%F.S. 

06 

響應(yīng)時(shí)間 

≤4sec 

07 

工作壓力 

-0.15MPa0.15MPa 

08 

流量控制 

液晶觸摸屏控制,數(shù)字顯示,每路氣體含有針閥單獨(dú)控制 

09 

進(jìn)氣接口 

可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管 

10 

出氣接口 

可接1/4NPS或外徑6mm不銹鋼管 

11 

連接方式 

雙卡套接頭 

12 

工作溫度 

5~45℃ 

13 

氣體預(yù)混 

配氣體預(yù)混裝置 

真空要求 

序號(hào) 

功能名稱 

技術(shù)要求 

01 

真空泵 

配置進(jìn)口或國(guó)產(chǎn)真空泵,爐管背景真空達(dá)5×10-1 Pa 

02 

系統(tǒng)漏率 

≤1.4×10-3 Pa.L/s 

03 

真空測(cè)量 

Inficon防腐蝕超純陶瓷傳感器 

04 

真空測(cè)量范圍 

0.01Pa1000Pa,測(cè)量精度0.2% 

05 

真空壓力表 

配置一個(gè)通用真空壓力表用于系統(tǒng)真空粗測(cè) 

06 

連接管道 

不銹鋼波紋管,手動(dòng)擋板閥與法蘭與真空泵連接 

軌道功能 

序號(hào) 

功能名稱 

技術(shù)要求 

01 

滑軌長(zhǎng)度 

2.5米~3米,能實(shí)現(xiàn)三溫區(qū)爐子一個(gè)爐位長(zhǎng)度的滑動(dòng),實(shí)現(xiàn)快速升降溫 

02 

主要參數(shù) 

手動(dòng)滑動(dòng),可實(shí)現(xiàn)管式爐和等離子體發(fā)生器的滑動(dòng)控制,達(dá)到快速降溫,射頻放射調(diào)節(jié) 

03 

特殊定制 

軌道上安裝方便拆卸的法蘭支架,用以支撐爐管長(zhǎng)度改變時(shí)的端口法蘭;單溫區(qū)爐子可以拆裝至滑軌上與等離子體源配合使用;等離子體發(fā)生器可以拆卸


○ 滑軌需要滿足的要求

1)常用方式是:等離子體發(fā)生器+三溫區(qū)爐配合,其中導(dǎo)軌可以讓三溫區(qū)爐有一個(gè)爐位的滑動(dòng);

2)希望的搭配使用方式1是:等離子體發(fā)生器+單溫區(qū)管式爐;

3)希望的搭配使用方式2是:?jiǎn)螠貐^(qū)管式爐+等離子體發(fā)生器+三溫區(qū)爐(此時(shí)三溫區(qū)爐不需要滑動(dòng)快速升降溫)

需要做到單溫區(qū)爐體能夠比較方便地裝到(1)方式的滑軌上,并且石英管兩端的法蘭支架可以在導(dǎo)軌長(zhǎng)度內(nèi)調(diào)節(jié),能滿足不同爐管長(zhǎng)度條件下對(duì)法蘭的支撐。



○ 免責(zé)聲明

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