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三靶磁控濺射相關(guān)介紹

日期:2024-09-20 09:12
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摘要:
三靶磁控濺射性能介紹
  三靶磁控濺射是一種用于材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器,于2019年1月1日啟用。
技術(shù)指標(biāo)
  樣品能加熱到600℃,控制精度不大于±1℃;射頻電源頻率13.56MHZ,功率0-600W可調(diào),功率不穩(wěn)定度≤2W,自動(dòng)匹配調(diào)節(jié),配備自動(dòng)匹配器,匹配時(shí)間精度不大于5秒。高性能真空系統(tǒng),極限真空6×10-5Pa;沉積200nm的薄膜。在3英寸平面基底上十字交叉取9個(gè)點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試。薄膜厚度不均勻性≤±5%,邊緣去除5mm。
主要功能
  三靶磁控濺射可使用單/雙/三靶對(duì)同一基片進(jìn)行磁控濺射鍍膜實(shí)驗(yàn),配備加熱系統(tǒng)可以將抽真空速度加快,本底真空降低;可使用雙/三靶濺射制備摻雜薄膜,較非摻雜薄膜性質(zhì)變多,性能不同,更利于發(fā)現(xiàn)新功能、高性能薄膜。設(shè)備自動(dòng)化程度較高,開/關(guān)機(jī)配備一鍵啟動(dòng)/關(guān)閉功能,方便操作。

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