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產品詳情
  • 產品名稱:靶下置型雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀

  • 產品型號:TN-MSP500S-DCRF-B
  • 產品廠商:泰諾
  • 產品文檔:
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簡單介紹:
靶下置型雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀的采用靶下置布局,樣品臺在上方,靶下置型雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀配有直流和射頻雙電源,用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜
詳情介紹:

○ 產品介紹

TN-MSP500S-DCRF-B 靶下置型雙靶磁控  為我公司研發(fā)的配有兩個靶位的實驗室專用鍍膜儀,采用靶下置布局,樣品臺在上方,與靶面高度可通過程序可調,并且可旋轉加熱,性能優(yōu)異。設備配有一臺直流電源,一臺射頻電源,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜等。

磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點,鍍膜速率高,樣品溫升低,是典型的高速低溫濺射。磁控靶配有水冷夾層,水冷機能夠有效的帶走熱量,避免熱量在靶面聚集,使磁控鍍膜能長時間穩(wěn)定工作。

○ 適用范圍

可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜等。

○ 產品特點

1:靶下置布局,樣品臺在上方,與靶面高度可通過程序可調,并且可旋轉加熱。
2:直流電源和射頻雙電源可以制備多種不同材料的薄膜,應用廣泛。
3:磁控靶配有水冷夾層,水冷機有效的帶走熱量,避免熱量聚集 

○ 技術參數

供電電壓 AC220V,50Hz 整機功率 6KW
極限真空 5*10-4Pa 樣品臺尺寸 φ150mm
樣品臺加熱 ≤500℃ 樣品臺轉速 1-20rpm
磁控濺射頭規(guī)格 2" 磁控濺射頭冷卻方式 10L/民 循環(huán)水冷機
真空腔體尺寸 φ500mm*490mmH 腔體材料 不銹鋼
觀察窗 φ100mm 腔體開啟方式 前開門式
氣體流量控制器 1路200sccm Ar
真空泵
一套分子泵系統(tǒng),抽速600L/S
膜厚儀
石英振動薄膜測厚儀一臺,分辨率0.10 ?
射電源
直流電源1臺,500W,適用于制備金屬膜
射頻電源1臺,500W,適用于非金屬鍍膜
操作方式
一體機電腦操作
規(guī)格 整機尺寸 1090mm X 900mm X 1250mm
整機重量 350kg

○ 免責聲明

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