○ 產(chǎn)品介紹

HPCVD（等離子增強(qiáng)混合物理化學(xué)氣相沉積）系統(tǒng)
本產(chǎn)品是一款1200℃等離子增強(qiáng)混合物理化學(xué)氣相沉積（HPCVD)雙溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管式爐系統(tǒng)。該設(shè)備包括一臺雙溫區(qū)管式爐，一套鎢絲蒸發(fā)源，一套等離子發(fā)生裝置以及一套質(zhì)量流量計(jì)系統(tǒng)。其工作原理是通過蒸發(fā)源將反應(yīng)物在進(jìn)氣端蒸發(fā)后通過氣流載入管式爐溫區(qū)內(nèi)進(jìn)行CVD反應(yīng)，同時通過等離子增強(qiáng)促進(jìn)反應(yīng)的發(fā)生，適用于無機(jī)復(fù)合粉末的熱處理及粉末表面的均勻包覆（如：制備鋰離子電池陰極粉末的導(dǎo)電涂層等）

○ 技術(shù)參數(shù)    

雙溫區(qū)管式爐

爐管材質(zhì)	高純石英
爐管直徑	50mm
爐管長度	1200mm
爐膛長度	400mm
加熱區(qū)長	200mm+200mm
工作溫度	0～1100℃
控溫	30段或50段程序控溫,±1℃
顯示模式	高清全彩LCD觸控屏
密封方式	304不銹鋼真空法蘭
供電電源	AC:220V 50/60Hz  2.5kW

蒸發(fā)舟

工作溫度	1300℃
蒸發(fā)源	鎢絲籃,可選配錐形氧化鋁坩堝
電偶	S型熱電偶
工作電流	≤30A
*大功率	500W

供氣系統(tǒng)

流量計(jì)	四路質(zhì)子流量計(jì)
流量范圍	MFC1量程：0~200sccm  MFC2量程：0~200sccm MFC3量程：0~500sccm  MFC4量程：0~500sccm 分別對應(yīng)氣體H2、 CH4、 N2、 Ar、
測量精度	±1.5%F.S
重復(fù)精度	±0.2%FS
線性精度	±1%F.S.
響應(yīng)時間	≤4s
工作壓力	-0.15Mpa~0.15Mpa
流量控制	液晶觸摸屏控制，數(shù)字顯示，每路氣體含有針閥單獨(dú)控制
進(jìn)氣接口	可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
出氣接口	可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
連接方式	雙卡套接頭
工作溫度	5~45℃
氣體預(yù)混	配氣體預(yù)混裝置

排氣系統(tǒng)

產(chǎn)品型號	TN-GZK103-A
分子泵	渦輪分子泵
前極泵	雙極旋片泵
抽氣速率	分子泵：600L/S 旋片泵：1.1L/S 綜合抽氣性能：30分鐘真空度可達(dá)：5×10E-3Pa
極限真空	5×10E-4Pa
抽氣接口	KF40
排氣接口	KF16
真空測量	復(fù)合真空計(jì)

RF輸出系統(tǒng)參數(shù)

功率/頻率 范圍	0~300W可調(diào)/13.56MHz+0.005%	整機(jī)效率	≥70%
工作模式	連續(xù)輸出	功率因素	≥90%
匹配阻抗模式	能夠匹配，起輝均勻布滿爐管	供電電壓/頻率	單相交流（187V~153V） 頻率50/60Hz
功率穩(wěn)定度	≤2W	控制模式	內(nèi)控/PLC 模擬量/RS232/485通訊
正常工作反射功率	≤3W	電源保護(hù)設(shè)置	DC過流保護(hù)，功放過溫保護(hù)，反射功率保護(hù)
放大反射功率	≤70W	冷卻方式	強(qiáng)制風(fēng)冷
諧波分量	≤-50dBc	起輝長度	在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿爐管

○ 免責(zé)聲明

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